nano-LED制造中EBL光刻应用

LED层结构覆盖电子束光刻胶， EBL曝光200nm线宽，物理气相沉积涂覆Ni-cap作为IBE刻蚀阻挡层，IBE刻蚀将图案转移到底层LED结构，刻蚀到氮掺杂的GaN层暴露出来，该层后来用作底部触点。