nano-LED制造中EBL光刻应用
氮化物nano-LED产品制造过程
LED层结构覆盖电子束光刻胶， EBL曝光200nm线宽，物理气相沉积涂覆Ni-cap作为IBE刻蚀阻挡层，IBE刻蚀将图案转移到底层LED结构，刻蚀到氮掺杂的GaN层暴露出来，该层后来用作底部触点。
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