像素大小为 80 μm×80 μm

像素大小为 80 μm×80 μm，阵列数为 8×8 的柔性垂直结构 Al-Ga-In P 红光 Micro-LED 阵列器件，并采用增大间距的方法优化阵列的器件温度分布，得出增加阵列像素间距可提高器

倒装结构 Ga N 基蓝光 Micro-LED 阵列器件的制备技术和光电特性研究

倒装结构 Ga N 基蓝光 Micro-LED 阵列器件的制备技术和光电特性研究。设计并制备出具有单行独立驱动能力的倒装结构 Ga N 基蓝光 Micro-LED阵列器件，其最小像素达到 10 μm×

产品优势

高分辨率，8K高亮度，2000-300nit高对比度，5000：1

nano-LED制造中EBL光刻应用

氮化物nano-LED产品制造过程