像素大小为 80 μm×80 μm,阵列数为 8×8 的柔性垂直结构 Al-Ga-In P 红光 Micro-LED 阵列器件,并采用增大间距的方法优化阵列的器件温度分布,得出增加阵列像素间距可提高器件温度分布均匀性。
像素大小为 80 μm×80 μm,阵列数为 8×8 的柔性垂直结构 Al-Ga-In P 红光 Micro-LED 阵列器件,并采用增大间距的方法优化阵列的器件温度分布,得出增加阵列像素间距可提高器件温度分布均匀性。
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