倒装结构 Ga N 基蓝光 Micro-LED 阵列器件的制备技术和光电特性研究
倒装结构 Ga N 基蓝光 Micro-LED 阵列器件的制备技术和光电特性研究。设计并制备出具有单行独立驱动能力的倒装结构 Ga N 基蓝光 Micro-LED阵列器件，其最小像素达到 10 μm×
倒装结构 Ga N 基蓝光 Micro-LED 阵列器件的制备技术和光电特性研究。设计并制备出具有单行独立驱动能力的倒装结构 Ga N 基蓝光 Micro-LED阵列器件，其最小像素达到 10 μm×10 μm像素密度为 1500 PPI。
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