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2023-10
像素大小为 80 μm×80 μm,阵列数为 8×8 的柔性垂直结构 Al-Ga-In P 红光 Micro-LED 阵列器件,并采用增大间距的方法优化阵列的器件温度分布,得出增加阵列像素间距可提高器
倒装结构 Ga N 基蓝光 Micro-LED 阵列器件的制备技术和光电特性研究。设计并制备出具有单行独立驱动能力的倒装结构 Ga N 基蓝光 Micro-LED阵列器件,其最小像素达到 10 μm×
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高分辨率,8K高亮度,2000-300nit高对比度,5000:1
氮化物nano-LED产品制造过程
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